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FQU2N60CTU Especificaciones técnicas
FQU2N60CTU datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ω @ 950mA, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 28 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 1.9A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Height | 6.1mm |
Width | 2.3mm |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Weight | 343.08mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 4.7Ohm |
Voltage - Rated DC | 600V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 1.9A |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 44W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A Tc |
Rise Time | 25ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 7.6A |
Length | 6.6mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQU2N60CTU Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQU2N60CTU
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQU2N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQU2N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQU2N100 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 1720 |
FQU2N100TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 50 |
FQU2N100TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2541 |
FQU2N100TU | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQU2N100TU IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 10421 |
FQU2N50B | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 5030 |
FQU2N50BTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9707 |
FQU2N50BTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5337 |
FQU2N50BTU-WS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2606 |
FQU2N50BTU-WS | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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