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FQU1N80TU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 800V
Current Rating 1A
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 45W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A Tc
Rise Time 25ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 800V
Avalanche Energy Rating (Eas) 90 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Weight 343.08mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ω @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 1A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 4A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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FQU1N80TU Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQU1N80TU

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "FQU1N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQU1N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQU1N50 FSC CIs Calientes Especializados 5000
FQU1N50C FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2350
FQU1N50TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2506
FQU1N50TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2759
FQU1N60 VB CIs Calientes Especializados 5427
FQU1N60 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 356
FQU1N60B FAIRCHIL CIs Calientes Especializados 813
FQU1N60C FSC CIs Calientes Especializados 19734
FQU1N60C MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 509
FQU1N60CTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30575

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