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FQU13N10LTU Especificaciones técnicas
FQU13N10LTU datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Weight | 343.08mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 180MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180m Ω @ 5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 5V 10V |
Fall Time (Typ) | 72 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 10A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40A |
Height | 6.1mm |
Width | 2.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 100V |
Current Rating | 10A |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 40W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 7.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A Tc |
Rise Time | 220ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 22 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 95 mJ |
Length | 6.6mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQU13N10LTU Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQU13N10LTU
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQU13" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQU13'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQU13N06 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 10349 |
FQU13N06 @@@@@ | FAIRC | CIs Calientes Especializados | 50000 |
FQU13N06 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10323 |
FQU13N06L | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 14659 |
FQU13N06L @@@@@ | FAIRC | CIs Calientes Especializados | 50000 |
FQU13N06LTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 45987 |
FQU13N06LTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 45987 |
FQU13N06LTU | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQU13N06LTU MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 765 |
FQU13N06LTU-WS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2767 |
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