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FQPF8N80C Especificaciones técnicas
FQPF8N80C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Weight | 2.27g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 1.55Ohm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 59W |
Turn On Delay Time | 40 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Tc |
Rise Time | 110ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 65 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 800V |
Height | 9.19mm |
Width | 4.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 800V |
Current Rating | 8A |
Power Dissipation-Max | 59W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ω @ 4A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 70 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 8A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 850 mJ |
Length | 10.16mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQPF8N80C Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQPF8N80C
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQPF8" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQPF8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQPF85N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 76058 |
FQPF85N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 76058 |
FQPF8N60 | FAI | CIs Calientes Especializados | 42772 |
FQPF8N60C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 67385 |
FQPF8N60C | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1457 |
FQPF8N60C | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQPF8N60C MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1082 |
FQPF8N60CF | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 32899 |
FQPF8N60CFT | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3042 |
FQPF8N60CFT | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 659 |
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