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FQPF6N90C Especificaciones técnicas
FQPF6N90C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 56W |
Turn On Delay Time | 35 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A Tc |
Rise Time | 90ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 55 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 900V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 650 mJ |
Height | 9.19mm |
Width | 4.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Weight | 2.27g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 2.3Ohm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 56W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ω @ 3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 60 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 24A |
Recovery Time | 630 ns |
Length | 10.16mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQPF6N90C Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQPF6N90C
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQPF6" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQPF6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQPF60N03L | VB | CIs Calientes Especializados | 10377 |
FQPF60N06 | FC | CIs Calientes Especializados | 1436 |
FQPF630 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3749 |
FQPF630 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3749 |
FQPF630 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQPF630 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 519 |
FQPF65N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 24641 |
FQPF65N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 500 |
FQPF65N06 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQPF65N06 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5316 |
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