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FQD9N25TM-F080 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 55W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420m Ω @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Avalanche Energy Rating (Eas) 165 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A Tc
Rise Time 105ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 25 ns
JEDEC-95 Code TO-252AB
Drain-source On Resistance-Max 0.42Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 29.6A
Radiation Hardening No
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FQD9N25TM-F080 Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD9N25TM-F080

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "FQD9N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD9N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD9N08L VB CIs Calientes Especializados 5000
FQD9N08TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2723
FQD9N08TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
FQD9N15 Original CIs Calientes Especializados 5363
FQD9N25 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2232
FQD9N25TF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2668
FQD9N25TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
FQD9N25TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 626
FQD9N25TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4247
FQD9N25TM ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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