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FQD7P06TM Especificaciones técnicas
FQD7P06TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 450mOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -5.4A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A Tc |
Rise Time | 50ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 5.4A |
Drain to Source Breakdown Voltage | -60V |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 28W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 451m Ω @ 2.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 7.5 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 90 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FQD7P06TM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD7P06TM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD7P" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD7P'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD7P06 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 11311 |
FQD7P06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20284 |
FQD7P06TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 42727 |
FQD7P06TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 493 |
FQD7P06TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5312 |
FQD7P06TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 45477 |
FQD7P06TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 714 |
FQD7P06TM_F080 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
FQD7P06TM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
FQD7P06TM_NB82050 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
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