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FQD7N20LTM Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 45W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750m Ω @ 2.75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 5V 10V |
Fall Time (Typ) | 65 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 5.5A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.78Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 22A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 5.5A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A Tc |
Rise Time | 125ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FQD7N20LTM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD7N20LTM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD7N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD7N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD7N10 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 2702 |
FQD7N10L | Fairchi | CIs Calientes Especializados | 13935 |
FQD7N10L MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 446 |
FQD7N10LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2715 |
FQD7N10LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2676 |
FQD7N10LTF MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1925 |
FQD7N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5252 |
FQD7N10LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25358 |
FQD7N10LTM | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQD7N10LTM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2095 |
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