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FQD5P10TM Especificaciones técnicas
P-channel Power Mosfet, Qfet®, -100 V, -3.6 A, 1.05 ?, Dpak
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1999 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -3.6A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 25W Tc |
Current | 36A |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A Tc |
Rise Time | 70ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Threshold Voltage | -2V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -100V |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | -100V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Voltage | 100V |
Element Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ω @ 1.8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 30 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 55 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQD5P10TM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD5P10TM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD5P" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD5P'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD5P10 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 46873 |
FQD5P10 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1800 |
FQD5P10TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1976 |
FQD5P10TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 7441 |
FQD5P10TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8635 |
FQD5P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 45502 |
FQD5P10TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 677 |
FQD5P20 | FSC | CIs Calientes Especializados | 8435 |
FQD5P20 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 562 |
FQD5P20TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2143 |
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