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FQD4N50TM Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Voltage - Rated DC | 500V |
Current Rating | 2.6A |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 45W Tc |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A Tc |
Rise Time | 45ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Height | 2.3mm |
Width | 6.1mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
Part Status | Obsolete |
Resistance | 2.7Ohm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ω @ 1.3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 30 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2.6A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 500V |
Length | 6.6mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FQD4N50TM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD4N50TM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD4N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD4N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD4N20 | F | CIs Calientes Especializados | 6816 |
FQD4N20 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1652 |
FQD4N20L | F | CIs Calientes Especializados | 10481 |
FQD4N20L MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5328 |
FQD4N20LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
FQD4N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2777 |
FQD4N20LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2637 |
FQD4N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
FQD4N20TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
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