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FQD4N25TM-WS Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 37W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ω @ 1.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 22 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 250V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 1.75Ohm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 6.8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A Tc |
Rise Time | 45ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 6.4 ns |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 3A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 52 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQD4N25TM-WS Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD4N25TM-WS
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD4N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD4N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD4N20 | F | CIs Calientes Especializados | 6816 |
FQD4N20 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1652 |
FQD4N20L | F | CIs Calientes Especializados | 10481 |
FQD4N20L MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5328 |
FQD4N20LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
FQD4N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2777 |
FQD4N20LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2637 |
FQD4N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
FQD4N20TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
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Kits Accesorios
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