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FQD19N10TM Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 15.6A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 7.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.6A Tc |
Rise Time | 150ns |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 220 mJ |
Length | 6.6mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 100MOhm |
Voltage - Rated DC | 100V |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 50W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 7.8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 65 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 15.6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 62.4A |
Height | 2.3mm |
Width | 6.1mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQD19N10TM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD19N10TM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD19" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD19'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD19N10 | F | CIs Calientes Especializados | 964 |
FQD19N10L | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 287 |
FQD19N10L FQD19N10 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 2675 |
FQD19N10L IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1866 |
FQD19N10L MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2830 |
FQD19N10LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3090 |
FQD19N10LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1201 |
FQD19N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18693 |
FQD19N10LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18693 |
FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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Brocas, Fresas
Borradores UV
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