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FQD13N10TM Especificaciones técnicas

FQD13N10TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 10A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Tc
Rise Time 55ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 95 mJ
Length 6.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 180mOhm
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 40W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 10A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
Height 2.3mm
Width 6.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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FQD13N10TM Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD13N10TM

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "FQD13"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD13N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 13227
FQD13N06 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 11407
FQD13N062 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 793
FQD13N06L FAIRCHI CIs Calientes Especializados 67076
FQD13N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1553
FQD13N06L-E3 Original CIs Calientes Especializados 3000
FQD13N06LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 40132
FQD13N06LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5599
FQD13N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 47343
FQD13N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 47343

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