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FQD12P10TM-F085 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290m Ω @ 4.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 37.6A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 370 mJ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 50W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±30V |
DS Breakdown Voltage-Min | 100V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQD12P10TM-F085 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD12P10TM-F085
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD12" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD1216ME/I H-5 | NXP | CIs Calientes Especializados | 2603 |
FQD12N10 | F | CIs Calientes Especializados | 10490 |
FQD12N10 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 16136 |
FQD12N10L | CIs Calientes Especializados | 999432 | |
FQD12N20 | F | CIs Calientes Especializados | 26045 |
FQD12N20L | Fairchi | CIs Calientes Especializados | 10419 |
FQD12N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 416 |
FQD12N20LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5416 |
FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28954 |
FQD12N20LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 56568 |
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