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FQD12N20TM Especificaciones técnicas
FQD12N20TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 55W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280m Ω @ 4.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 55 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 9A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 9A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Tc |
Rise Time | 120ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.28Ohm |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQD12N20TM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD12N20TM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD12" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD1216ME/I H-5 | NXP | CIs Calientes Especializados | 2603 |
FQD12N10 | F | CIs Calientes Especializados | 10490 |
FQD12N10 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 16136 |
FQD12N10L | CIs Calientes Especializados | 999432 | |
FQD12N20 | F | CIs Calientes Especializados | 26045 |
FQD12N20L | Fairchi | CIs Calientes Especializados | 10419 |
FQD12N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 416 |
FQD12N20LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5416 |
FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28954 |
FQD12N20LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 56568 |
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