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FQD12N20LTM Especificaciones técnicas

FQD12N20LTM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 280mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 9A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Tc
Rise Time 190ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Threshold Voltage 2V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9A
Nominal Vgs 2 V
Length 6.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 200V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 55W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 120 ns
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Height 2.3mm
Width 6.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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FQD12N20LTM Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD12N20LTM

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "FQD12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD1216ME/I H-5 NXP CIs Calientes Especializados 2603
FQD12N10 F CIs Calientes Especializados 10490
FQD12N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 16136
FQD12N10L CIs Calientes Especializados 999432
FQD12N20 F CIs Calientes Especializados 26045
FQD12N20L Fairchi CIs Calientes Especializados 10419
FQD12N20LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 416
FQD12N20LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5416
FQD12N20LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28954
FQD12N20LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56568

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