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FQB8P10TM Especificaciones técnicas

Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 530mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -8A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.75W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A Tc
Rise Time 110ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 32A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.75W Ta 65W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530m Ω @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage -100V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "FQB8P"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB8P' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB8P10 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 10404
FQB8P10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 25432
FQB8P10TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 923
FQB8P10TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34041
FQB8P10TM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 638
FQB8P10TM-NL VB CIs Calientes Especializados 37363

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