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FQB7N60TM-WS Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ω @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7.4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Part Status Obsolete
Subcategory FET General Purpose Power
Reach Compliance Code not_compliant
Power Dissipation-Max 3.13W Ta 142W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±30V
RoHS Status RoHS Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'FQB7N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB7N10 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6090
FQB7N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6457
FQB7N10L VB CIs Calientes Especializados 701
FQB7N10LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 268
FQB7N10LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2500
FQB7N10TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2629
FQB7N10TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2555
FQB7N10TM Rochester Electronics, LLC FQB7N10TM
FQB7N20 FAIRC CIs Calientes Especializados 12000
FQB7N20L VB CIs Calientes Especializados 17700

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