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FQB6N80TM Especificaciones técnicas

FQB6N80TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating 5.8A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.13W
Turn On Delay Time 30 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A Tc
Rise Time 70ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 65 ns
Threshold Voltage 5V
Drain to Source Breakdown Voltage 800V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 1.95Ohm
Voltage - Rated DC 800V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 3.13W Ta 158W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ω @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 680 mJ
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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FQB6N80TM Documentos

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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "FQB6N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQB6N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB6N15 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 10332
FQB6N15TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2669
FQB6N15TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2721
FQB6N25 FSC CIs Calientes Especializados 2642
FQB6N25TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2517
FQB6N25TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2706
FQB6N40 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 500
FQB6N40C FAIRCHI CIs Calientes Especializados 67425
FQB6N40CF VB CIs Calientes Especializados 5000
FQB6N40CTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1218

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