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FQB50N06TM Especificaciones técnicas
MOSFET 60V N-Channel QFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 60V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.75W Ta 120W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22m Ω @ 25A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1540pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 65 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 50A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.022Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200A |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 50A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.75W |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A Tc |
Rise Time | 105ns |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 60 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 490 mJ |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FQB50N06TM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQB50N06TM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQB50" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQB50'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQB5050CFTM | Fairchild | CIs Calientes Especializados | 2778 |
FQB50N03 | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
FQB50N06 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 34955 |
FQB50N06C | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
FQB50N06L | FSC | CIs Calientes Especializados | 37520 |
FQB50N06L MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 23146 |
FQB50N06LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2979 |
FQB50N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 322 |
FQB50N06LTM | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQB50N06M | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
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