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FPNH10 Especificaciones técnicas

TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 25V
Current Rating 50mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 350mW
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Frequency - Transition 650MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 3V
Continuous Collector Current 50mA
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 350mW
Frequency 650MHz
Polarity NPN
Power Dissipation 350mW
Gain Bandwidth Product 650MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Max Frequency 650MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 60
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FPNH10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2515
FPNH10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2775
FPNH10 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT RF

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