FPF2C8P2NL07A Especificaciones técnicas

IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Weight 45g
Published 2014
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 135W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 135W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Current - Collector Cutoff (Max) 250μA
Isolation Voltage 2.5kV
IGBT Type Field Stop
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case F2 Module
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
HTS Code 8542.39.00.01
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Three Phase
Input Standard
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor Yes
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FPF2C110BI07AS2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Módulos 2775
FPF2C110BI07AS2 ON Semiconductor Módulos IGBT
FPF2C8P2NL07A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Módulos 2590
FPF2C8P2NL07A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Módulos 2591

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