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FJX3012RTF Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SC-70 (SOT323)
Part Status Obsolete
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Frequency - Transition 250MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJX3001RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 98600
FJX3001RTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 98600
FJX3001RTF ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJX3001RTF Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
FJX3002RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 71370
FJX3002RTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 8441
FJX3002RTF ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJX3003RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 42000
FJX3003RTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 42000
FJX3003RTF Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados

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