FJV42MTF Especificaciones técnicas

FJV42MTF datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Frequency 50MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 350mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 350V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
Transition Frequency 50MHz
Max Breakdown Voltage 350V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 350mW
Terminal Form GULL WING
Base Part Number FJV42
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 50MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 350V
Collector Emitter Saturation Voltage 500mV
Collector Base Voltage (VCBO) 350V
hFE Min 25
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJV42MTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 44000
FJV42MTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 44000

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