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FJNS3206RTA Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Part Status | Obsolete |
Max Operating Temperature | 150°C |
Max Power Dissipation | 300mW |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 300mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 10V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 300mW |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Collector Base Voltage (VCBO) | 50V |
hFE Min | 68 |
Continuous Collector Current | 100mA |
RoHS Status | RoHS Compliant |
FJNS3206RTA Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FJNS3206RTA
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FJNS3" partes
Las siguientes partes incluyen 'FJNS3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FJNS3201RBU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2729 |
FJNS3201RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2689 |
FJNS3201RBU | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
FJNS3201RTA | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2571 |
FJNS3201RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2741 |
FJNS3201RTA | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
FJNS3201RTA | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
FJNS3202RBU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2618 |
FJNS3202RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2690 |
FJNS3202RBU | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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