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FJN4305RTA Especificaciones técnicas

Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position BOTTOM
Base Part Number FJN4305
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage -300mV
Frequency - Transition 200MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -10V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
Length 5.2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Weight 240mg
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Current Rating -100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 200MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) -50V
hFE Min 30
Continuous Collector Current -100mA
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "FJN43"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FJN43' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJN4301RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2704
FJN4301RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2518
FJN4301RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJN4301RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2679
FJN4301RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2715
FJN4301RTA ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJN4302RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2580
FJN4302RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2562
FJN4302RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJN4302RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 18000

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