FJB5555TM Especificaciones técnicas

FJB5555TM datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mount Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400V
Collector Emitter Breakdown Voltage 400V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Collector Base Voltage (VCBO) 1.05kV
hFE Min 20
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case D2PAK
Weight 1.31247g
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 1.6W
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 5A
Max Frequency 1MHz
Max Breakdown Voltage 400V
Emitter Base Voltage (VEBO) 14V
DC Current Gain-Min (hFE) 20
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJB5555TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2757
FJB5555TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2693

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