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FH105A-TR-E Especificaciones técnicas
Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN 30MA 10V FT=8G
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LIFETIME (Last Updated: 2 weeks ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Pin Count | 6 |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 30mA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 10V |
Frequency - Transition | 8GHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 1.5V |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB @ 1.5GHz |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e6 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 300mW |
Power - Max | 150mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 10V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 0.95 @ 10mA 5V |
Gain | 10dB @ 1.5GHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 20V |
hFE Min | 90 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FH105A-TR-E | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2507 |
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