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FGY75T95SQDT Especificaciones técnicas

IGBT 950V 75A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TO-247-3 Variant
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Power - Max 434W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 950V
Test Condition 600V, 75A, 4.7 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Switching Energy 8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Part Status Active
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 259ns
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.11V @ 15V, 75A
Gate Charge 137nC
Td (on/off) @ 25°C 28.8ns/117ns
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGY75N60SMD Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 10489
FGY75N60SMD AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2954
FGY75N60SMD ON Semiconductor IGBTs individuales
FGY75T120SCD FSC CIs Calientes Especializados 3373
FGY75T120SQDN AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 15436
FGY75T120SQDN ON Semiconductor IGBTs individuales
FGY75T95LQDT ON Semiconductor IGBTs individuales

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