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FGPF70N30TDTU Especificaciones técnicas

IGBT 300V 49.2W TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 49.2W
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 21ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A
Gate Charge 125nC
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300V
Collector Emitter Breakdown Voltage 300V
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGPF70N30 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 14888
FGPF70N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 14888
FGPF70N30 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGPF70N30T FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2580
FGPF70N30TD FSC CIs Calientes Especializados 10
FGPF70N30TDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2732
FGPF70N30TDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 0
FGPF70N30TTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2546
FGPF70N30TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2592
FGPF70N30TTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales

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