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FGPF30N30TTU Especificaciones técnicas

IGBT 300V 44.6W TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 44.6W
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300V
Test Condition 200V, 20A, 20 Ω, 15V
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Base Part Number FGPF30N30
Input Type Standard
Collector Emitter Breakdown Voltage 300V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A
Gate Charge 65nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/130ns
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGPF30N30 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 9800
FGPF30N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2720
FGPF30N30 Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
FGPF30N30 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGPF30N30DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2535
FGPF30N30DTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2608
FGPF30N30DTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGPF30N30TDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2511
FGPF30N30TDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2733
FGPF30N30TDTU ON Semiconductor IGBTs individuales

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