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FGH15T120SMD-F155 Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 30A 333W TO247-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 333W
Power Dissipation 333W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.9V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A
Gate Charge 128nC
Td (on/off) @ 25°C 32ns/490ns
Gate-Emitter Voltage-Max 25V
Radiation Hardening No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Element Configuration Single
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Reverse Recovery Time 72ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 15A, 34 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 1.15mJ (on), 460μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'FGH15' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGH15N6RUFD Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 100
FGH15T120SMD FSC CIs Calientes Especializados 8386
FGH15T120SMD IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6485
FGH15T120SMD-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2735
FGH15T120SMD_F155 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2766

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