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FGD3245G2-F085 Especificaciones técnicas

Trans IGBT Chip N-CH 480V 23A 3-Pin TO-252AA T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2016
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 150W
Reach Compliance Code not_compliant
Rise Time-Max 7000ns
Input Type Logic
Clamping Voltage 450V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.25V
Collector Emitter Breakdown Voltage 450V
Max Breakdown Voltage 450V
Gate Charge 23nC
Gate-Emitter Voltage-Max 12V
Fall Time-Max (tf) 15000ns
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 150W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 23A
Collector Emitter Saturation Voltage 1.64V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.25V @ 4V, 6A
Td (on/off) @ 25°C 900ns/5.4μs
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 2.2V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "FGD32"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FGD32' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGD3245G2 Original CIs Calientes Especializados 1103
FGD3245G2-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2783
FGD3245G2-F085C ON Semiconductor IGBTs individuales
FGD3245G2-F085V ON Semiconductor IGBTs individuales
FGD3245G2_F085 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5301

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