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FGB7N60UNDF Especificaciones técnicas
FGB7N60UNDF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Max Power Dissipation | 83W |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Transistor Application | MOTOR CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600V |
Reverse Recovery Time | 32.3 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.1V |
Test Condition | 400V, 7A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 146.8 ns |
Gate Charge | 18nC |
Td (on/off) @ 25°C | 5.9ns/32.3ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Fall Time-Max (tf) | 89ns |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 83W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 14A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 10.3 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 7A |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 21A |
Switching Energy | 99μJ (on), 104μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 8.5V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FGB7N60UNDF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FGB7N60UNDF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FGB7N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FGB7N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FGB7N60UNDF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 3214 |
FGB7N60UNDF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 579 |
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