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FDT86256 Especificaciones técnicas

FDT86256 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Power Dissipation-Max 2.3W Ta 10W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 845m Ω @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 73pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 2.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.2A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Height 1.7mm
Width 3.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 188mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.3W
Turn On Delay Time 2.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A Ta 3A Tc
Rise Time 1.7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.845Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 2A
Length 6.7mm
Radiation Hardening No
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FDT86256 Documentos

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Otros incluyen   "FDT86"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDT86' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDT86102 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2585
FDT86102LZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16435
FDT86102LZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20511
FDT86102LZ ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDT86102LZ MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4450
FDT86106LZ Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 123684
FDT86106LZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 107811
FDT86106LZ ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDT86106LZ IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 56263
FDT86106LZ MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 14897

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