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FDT86246 Especificaciones técnicas
FDT86246 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Weight | 250.2mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 4 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.2W |
Turn On Delay Time | 7.8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A Ta |
Rise Time | 2.3ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 4.6 ns |
Threshold Voltage | 3.1V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Feedback Cap-Max (Crss) | 5 pF |
Length | 3.7mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Power Dissipation-Max | 2.2W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 236m Ω @ 2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 1.2 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.236Ohm |
Nominal Vgs | 3.1 V |
Height | 1.7mm |
Width | 6.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
FDT86246 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDT86246
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDT86" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDT86'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDT86102 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 2585 |
FDT86102LZ | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16435 |
FDT86102LZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 20511 |
FDT86102LZ | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDT86102LZ MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 4450 |
FDT86106LZ | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 123684 |
FDT86106LZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 107811 |
FDT86106LZ | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDT86106LZ IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 56263 |
FDT86106LZ MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 14897 |
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