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FDT439N Especificaciones técnicas
FDT439N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 4 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45m Ω @ 6.3A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 2.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 10 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6.3A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20A |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 1.8mm |
Width | 3.56mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Weight | 250.2mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1999 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 45mOhm |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | 6.3A |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3W |
Turn On Delay Time | 6 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A Ta |
Rise Time | 10ns |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Threshold Voltage | 670mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Dual Supply Voltage | 30V |
Nominal Vgs | 670 mV |
Length | 6.5mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDT439N Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDT439N
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDT43" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDT43'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDT434 | FSC | CIs Calientes Especializados | 2652 |
FDT434P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1379 |
FDT434P | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDT434P | Rochester Electronics, LLC | FDT434P | |
FDT434P MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20502 |
FDT434P-NL | F | CIs Calientes Especializados | 10127 |
FDT434P-NL MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10357 |
FDT439 | FSC | CIs Calientes Especializados | 1789 |
FDT439N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5255 |
FDT439N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 60359 |
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