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FDS6898AZ-F085 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 8
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 900mW
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Rise Time 15ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 1.821nF
Rds On Max 14 mΩ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Package / Case SOIC
Weight 230.4mg
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.4A
Drain-source On Resistance-Max 0.014Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDS6812 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 80401
FDS6812-NL F CIs Calientes Especializados 18985
FDS6812A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 24506
FDS6812A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5706
FDS6812A Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
FDS6812A ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
FDS6812A MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2939
FDS6812A-NL F CIs Calientes Especializados 459
FDS6814-NL F CIs Calientes Especializados 380
FDS6815-NL F CIs Calientes Especializados 18974

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