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FDS6673BZ Especificaciones técnicas
FDS6673BZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A Ta |
Rise Time | 16ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 105 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 14.5mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Nominal Vgs | 1.9 V |
Height | 1.5mm |
Width | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Weight | 130mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2009 |
JESD-609 Code | e4 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 7.8MOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | DUAL |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8m Ω @ 14.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 225 ns |
Threshold Voltage | -1.9V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -30V |
Feedback Cap-Max (Crss) | 900 pF |
Length | 5mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDS6673BZ Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDS6673BZ
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDS66" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDS66'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDS6609-NL | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 410 |
FDS6609A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5867 |
FDS6609A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 14497 |
FDS6609A MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3428 |
FDS6609A-NL | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 551 |
FDS6609A_NL | Original | CIs Calientes Especializados | 572 |
FDS6609A_NL. | FSC | CIs Calientes Especializados | 11900 |
FDS6612 | FSC | CIs Calientes Especializados | 3000 |
FDS6612-NL | F | CIs Calientes Especializados | 307 |
FDS6612-NL MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 17903 |
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