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FDP61N20 Especificaciones técnicas
FDP61N20 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | UniFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | FAST SWITCHING |
Voltage - Rated DC | 200V |
Current Rating | 61A |
Voltage | 200V |
Element Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 40 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A Tc |
Rise Time | 215ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 125 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Height | 9.4mm |
Width | 4.83mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 41MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 417W Tc |
Current | 61A |
Power Dissipation | 417W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41m Ω @ 30.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 170 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6.1A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDP61N20 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDP61N20
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDP61" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDP61'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDP61N20 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 26787 |
FDP61N20 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2287 |
FDP61N20 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2662 |
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