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FDP3651U Especificaciones técnicas

FDP3651U datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 18MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 255W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 16ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 220A
Height 9.4mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 80A
Power Dissipation-Max 255W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5522pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 266 mJ
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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  • Hojas de datos

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Las siguientes partes incluyen  'FDP36' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDP3632 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 41558
FDP3632 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 41558
FDP3632 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDP3632 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 394
FDP3651U Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1465
FDP3651U AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 46756
FDP3651U MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3573
FDP3652 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10520
FDP3652 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 54649
FDP3652 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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