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FDP2D3N10C Especificaciones técnicas

FDP2D3N10C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Element Configuration Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11180pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 1.8g
Series PowerTrench®
Part Status Active
Power Dissipation-Max 214W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 700μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 222A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
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FDP2D3N10C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2660

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