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FDP050AN06A0 Especificaciones técnicas
FDP050AN06A0 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 5MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 80A |
Qualification Status | Not Qualified |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 245W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A Ta 80A Tc |
Rise Time | 160ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 470 mJ |
Height | 20.4mm |
Width | 4.83mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 60V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 245W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5m Ω @ 80A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 29 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Length | 10.67mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDP050AN06A0 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDP050AN06A0
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDP05" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDP05'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDP050 | FSC | CIs Calientes Especializados | 469 |
FDP050AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2391 |
FDP050AN06A0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 80684 |
FDP050AN06A0 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5334 |
FDP050AN06AO | FSC | CIs Calientes Especializados | 312 |
FDP053N08B | FSC | CIs Calientes Especializados | 4660 |
FDP053N08B-F102 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2706 |
FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDP053N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
FDP054N10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30129 |
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