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FDP047N10 Especificaciones técnicas
FDP047N10 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 2.421g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 4.7MOhm |
Additional Feature | ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 375W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 174 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Rise Time | 386ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 344 ns |
Threshold Voltage | 3.5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 656A |
Length | 10.1mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 375W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7m Ω @ 75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15265pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 244 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 164A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Height | 15.38mm |
Width | 4.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDP047N10 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDP047N10
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDP04" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDP04'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDP040N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32412 |
FDP040N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32412 |
FDP040N06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 303 |
FDP040N08 | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 50 |
FDP045N10 | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 353 |
FDP045N10A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 21641 |
FDP045N10A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4526 |
FDP045N10A MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 582 |
FDP045N10A-F102 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
FDP045N10A-F102 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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