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FDN359BN Especificaciones técnicas

FDN359BN datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 46mOhm
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 2.7A
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A Ta
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 1.8 V
Length 2.92mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 500mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.7mA
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Height 940μm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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FDN359BN Documentos

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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "FDN35"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDN35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDN351 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 30500
FDN351N FAI ON CIs Calientes Especializados 30408
FDN351N IC FAI ON CIs Calientes Especializados 30413
FDN352 IC CIs Calientes Especializados 3341
FDN352AP AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 215509
FDN352AP Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5267
FDN352AP ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDN352AP IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1655
FDN352AP MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2139
FDN352AP-NL F CIs Calientes Especializados 10558

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