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FDN357N Especificaciones técnicas
FDN357N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Weight | 30mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1998 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 60MOhm |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | 1.9A |
Power Dissipation-Max | 500mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A Ta |
Rise Time | 12ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Threshold Voltage | 1.6V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Nominal Vgs | 1.6 V |
Height | 940μm |
Width | 3.05mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 500mW |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 2.2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.9nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 1.9A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 30V |
Min Breakdown Voltage | 30V |
Length | 2.92mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDN357N Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDN357N
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDN35" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDN35'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDN351 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 30500 |
FDN351N | FAI ON | CIs Calientes Especializados | 30408 |
FDN351N IC | FAI ON | CIs Calientes Especializados | 30413 |
FDN352 IC | CIs Calientes Especializados | 3341 | |
FDN352AP | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 215509 |
FDN352AP | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5267 |
FDN352AP | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDN352AP IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1655 |
FDN352AP MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2139 |
FDN352AP-NL | F | CIs Calientes Especializados | 10558 |
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