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FDN306P Especificaciones técnicas
FDN306P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
Part Status | Active |
Termination | SMD/SMT |
Max Operating Temperature | 150°C |
Voltage - Rated DC | -12V |
Current Rating | -2.6A |
Voltage | 12V |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 500mW |
FET Type | P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A Ta |
Rise Time | 10ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.8V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 10 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -2.6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Dual Supply Voltage | -12V |
Drain to Source Resistance | 40mOhm |
Nominal Vgs | -600 mV |
Length | 2.92mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 40MOhm |
Min Operating Temperature | -55°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 500mW Ta |
Current | 26A |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1138pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 38 ns |
Threshold Voltage | -600mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | -12V |
Input Capacitance | 1.138nF |
Rds On Max | 40 mΩ |
Height | 940μm |
Width | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDN306P Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDN306P
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDN30" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDN30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDN301 | NEC | CIs Calientes Especializados | 18000 |
FDN301N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 12791 |
FDN301N MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3426 |
FDN301N-NL | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 18766 |
FDN301N-NL/301 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 30000 |
FDN302 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 6950 |
FDN302P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 274500 |
FDN302P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 360020 |
FDN302P | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDN302P IC | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 516 |
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