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FDMS86500L Especificaciones técnicas

FDMS86500L datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 27 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A Ta 80A Tc
Rise Time 16ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 63 ns
Threshold Voltage 1.8V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 240 mJ
Nominal Vgs 1.8 V
Length 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 68.1mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Resistance 2.5MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 104W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12530pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 7.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 25A
JEDEC-95 Code MO-240AA
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.1mm
Width 6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "FDMS8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDMS8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDMS8018 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56024
FDMS8018 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56024
FDMS8018 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS8018 IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 19771
FDMS8018 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 5219
FDMS8020 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34664
FDMS8020 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11634
FDMS8020 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS8020 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 332
FDMS8023S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4760

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