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FDMS86263P Especificaciones técnicas

FDMS86263P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 104W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A Ta 22A Tc
Rise Time 10ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) -4.4A
JEDEC-95 Code MO-240AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 22A
Drain to Source Breakdown Voltage -150V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Length 5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 68.1mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 104W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53m Ω @ 4.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3905pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 37 ns
Threshold Voltage -2.9V
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain-source On Resistance-Max 0.053Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 70A
Height 1.1mm
Width 5.85mm
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FDMS86263P Documentos

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Otros incluyen   "FDMS8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FDMS8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FDMS8018 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56024
FDMS8018 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 56024
FDMS8018 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS8018 IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 19771
FDMS8018 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 5219
FDMS8020 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34664
FDMS8020 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11634
FDMS8020 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FDMS8020 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 332
FDMS8023S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4760

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