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FDMS86252 Especificaciones técnicas
FDMS86252 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Weight | 74mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 69W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51m Ω @ 4.6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 905pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 3.2 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 16A |
JEDEC-95 Code | MO-240AA |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4.6A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20A |
Height | 1.05mm |
Width | 6mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 69W |
Turn On Delay Time | 7.7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A Ta 16A Tc |
Rise Time | 2.3ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Threshold Voltage | 2.8V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 50 mJ |
Length | 5mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDMS86252 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FDMS86252
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FDMS8" partes
Las siguientes partes incluyen 'FDMS8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FDMS8018 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 56024 |
FDMS8018 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 56024 |
FDMS8018 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDMS8018 IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 19771 |
FDMS8018 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 5219 |
FDMS8020 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34664 |
FDMS8020 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11634 |
FDMS8020 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FDMS8020 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 332 |
FDMS8023S | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4760 |
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